Simulation of P-type Doping Profile Prediction Using Different Ion Implantation and Diffusion Model

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题名:	Simulation of P-type Doping Profile Prediction Using Different Ion Implantation and Diffusion Model
作者:	Ningaraju), Vivek Ningar(Vivek;Pramudyo), Antonius Fra(Antonius Fran Yannu;Sheu), 許健(Gene;Kurniawan), Erry Dwi Kur(Erry Dwi;Yang)*, 楊紹明(Shao-Ming;Ma), Jia-Wei Ma(Jia-Wei;Subramanyaj(Subramanyaj)
贡献者:	資訊工程學系
日期:	2015-04
上传时间:	2015-12-11 05:48:31 (UTC+0)
關聯:	Applied Mechanics and Materials
显示于类别:	[資訊工程學系] 期刊論文

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