A HSPICE Macro Model for the ESD Behavior of Gate Grounded NMOS and Gate coupled NMOS

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题名:	A HSPICE Macro Model for the ESD Behavior of Gate Grounded NMOS and Gate coupled NMOS
作者:	Chen, 楊紹明；Shao-Ming Yang；Hema EP；Hema EP；許健；Gene Sheu；Aryadeep Mri；Aryadeep Mrinal；Md. Amanulla；Md. Amanullah；陳柏安；PA
贡献者:	資訊工程學系
日期:	2015-03
上传时间:	2015-11-12 06:41:32 (UTC+0)
關聯:	ECS Transactions
显示于类别:	[資訊工程學系] 期刊論文

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