含氧之銅鋅錫硫化合物薄膜之製備與光電特性分析

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Title:	含氧之銅鋅錫硫化合物薄膜之製備與光電特性分析
Authors:	洪大鈞
Contributors:	光電與通訊學系
Keywords:	溶膠凝膠法銅鋅錫硫氧化物結構化學成份光電性質
Date:	2014-07-31
Issue Date:	2014-09-03 01:23:59 (UTC+0)
Publisher:	Asia University
Abstract:	本研究使用溶膠-凝膠法製備銅鋅錫硫氧化物薄膜，探討含氧原子的Cu2ZnSnS4薄膜之結構、微結構及光電特性；當氧原子進入Cu2ZnSnS4 薄膜中形成 Cu2ZnSnS4:O，化學成份偏離計量比，而其結構均為鋅黃錫礦結構，並無二次相結構，在薄膜中氧含量為8.89 及10.30 at.%，可改變材料之微結構光電特性，可見光範圍具有某種程度之透光特性，Cu2ZnSnS4:O 薄膜直接能隙分別為3.48 及3.55 eV，材料為寬能隙半導體，薄膜吸收係數為> 104cm-1，薄膜的電阻率分別為19.68 及5.86 Ωcm。
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