高壓功率元件之3D 效應

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Title:	高壓功率元件之3D 效應 3D RESURF Effect For LDMOS Devices
Authors:	林敬哲
Contributors:	資訊工程學系碩士班
Date:	2009
Issue Date:	2009-10-09 08:38:32 (UTC+0)
Publisher:	亞洲大學
Abstract:	最近這幾年，由於液晶與電漿顯示器，LED與通訊產品需求量大，使得功率元件越來越重要，在未來的趨勢，將功率元件與低電壓電路整合在同一片晶片上，而其中LDMOS顯得非常的重要，在傳統的2D模擬往往無法模擬特殊佈局的元件，其中包含Racetrack或finger的佈局，因此本論文即以3D模擬為目標，利用Sentaurus simulation tool來模擬Power Device的LDMOS，Power Device的LDMOS在3D模擬結果我們發現元件會產生嚴重Current Crowding Effect，這是傳統的2D模擬無法呈現，所以本論文首先題出利用兩種方法來降低元件Current Crowding Effect，第一種方式就是改變Nd濃度，可以藉由Nd濃度改變可以控制Drain端與Field Plate端電場的大小，進而改善Current Crowding Effect。第二種方式為增加rN寬度，Drain端的電場隨著rN寬度增加而降低，進而加以改善元件Current Crowding Effect。最後本論文還模擬了Buried P-top LDMOS發現可藉由buried P-top增加Nd濃度改進元件崩潰電壓及降低R-on達到LDMOS最佳化的設計。
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