退火溫度對銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4)薄膜結構和光電特性影響

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Title:	退火溫度對銅鋅錫硫(Cu2ZnSnS4)薄膜結構和光電特性影響
Authors:	嚴孟君
Contributors:	游瑞松;黃鵲容亞洲大學光電與通訊學系碩士班
Keywords:	溶膠凝膠法;鋅黃錫礦結構;光電性質;晶體結構
Date:	2012
Issue Date:	2012-11-14 11:25:24 (UTC+0)
Abstract:	本研究以溶膠凝膠法製備銅鋅錫硫Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜於石英玻璃基板上，以控制氬氣氛退火處理250 ℃~350 ℃恆溫1小時，研究退火溫度改變對於CZTS之薄膜晶體結構、表面形貌、斷面結構、化學成分、光學及電學性質影響；研究顯示在不同退火溫度薄膜結構均為鋅黃錫礦結構(Kestenite-Cu2ZnSnS4)並無二次相生成，隨著退火溫度的增加，薄膜平均晶粒尺寸增加，薄膜片狀及纖維狀微結構成長加大，溫度增加造成薄膜中的硫含量下降；退火溫度325 ℃之CZTS薄膜有較佳之吸收係數為最高約為0.94×104 cm-1，電阻率及直接能係為4.35 Ω cm及1.39 eV；退火溫度300 ℃之CZTS薄膜具有較低電阻率3.92 Ω cm，直接能隙值約為1.43 eV。
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