以濕式化學法製作Cu2ZnSnS4薄膜之研究

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Title:	以濕式化學法製作Cu2ZnSnS4薄膜之研究
Authors:	陳慧玲
Contributors:	游瑞松;黃鵲容亞洲大學光電與通訊學系碩士班
Keywords:	化學濕式法;銅鋅錫硫;鋅黃錫礦(kesterite);吸收係數
Date:	2012
Issue Date:	2012-11-14 11:25:19 (UTC+0)
Abstract:	本研究以化學濕式法製備銅鋅錫硫Cu2ZnSnS4 (CZTS)薄膜，於控制氬氣氛下進行退火處理，研究分成兩階段，第一階段為改變三種不同前驅溶液的硫含量，薄膜在250 ℃退火處理1小時後，結果顯示以前驅溶液硫含量S3.0沉積之CZTS薄膜有較佳之光電特性，光學能隙值為1.52 eV，吸收係數大於104 cm-1，具有最低之電阻值為4.68 Ω cm。第二階段研究增加退火溫度為300 ℃與350 ℃對薄膜結構與光電特性影響，最後並與退火溫度250 ℃之薄膜作結構與光電特性相互比較，結果發現隨退火溫度由250 ℃增加至350 ℃，所有薄膜均為鋅黃錫礦(Kesterite)結構，並無二次相的生成，研究顯示隨著退火溫度的增加所造成的熱壓縮應力會改變薄膜表面形貌，由具有微裂縫形貌改變至表面凸起物(Hillock)的形成，薄膜光學直接能隙值由1.52 eV增加到1.68 eV，電阻值由4.68 Ω cm增加至124.49 Ω cm，所有的CZTS薄膜吸收係數均大於104 cm-1。
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