異質接面GaN/InxGaN之太陽能電池模擬研究

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Title:	異質接面GaN/InxGaN之太陽能電池模擬研究
Authors:	陳建宏
Contributors:	葉榮輝亞洲大學光電與通訊學系碩士班
Keywords:	III-V族化合物半導體;銦的組成;摻雜濃度
Date:	2012
Issue Date:	2012-11-14 11:25:18 (UTC+0)
Abstract:	III-V族化合物半導體太陽能電池擁有可調整吸收波長、光吸收係數大、耐輻射線、溫度敏感性低、適合薄膜化、適合聚光式及高轉換效率等優點，逐漸成為光電材料應用主流。但其中p-InGaN有製造上需克服的問題存在。因此，本論文以p-GaN取代p-InGaN，探討GaN/InxGaN太陽能電池結構中，透過調整銦的組成來改變能隙，同時研究改變NA的摻雜濃度對於GaN/InxGaN太陽能電池的影響。結果顯示GaN/InxGaN太陽能電池在相同銦組成，改變NA摻雜濃度其短路電流隨著摻雜濃度的增加而呈現減少的情況，原因為增加NA摻雜濃度使得載子擴散長度下降，進而使短路電流減少。而在相同的NA摻雜濃度下，調整銦的組成，太陽能電池的開路電壓會隨著銦的組成增加而呈現減少的情況，原因為增加銦的組成使得InGaN的能隙值下降因而降低開路電壓值，而轉換效率隨著開路電壓的下降而降低。
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