磁控共濺鍍製備p型CuCrO2薄膜之結構與光電性質研究

ASIA unversity > 資訊學院 > 光電與通訊學系 > 博碩士論文 > Item 310904400/11195

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://asiair.asia.edu.tw/ir/handle/310904400/11195

題名:	磁控共濺鍍製備p型CuCrO2薄膜之結構與光電性質研究
作者:	翁維甫
貢獻者:	Department of Photonics and Communication Engineering
關鍵詞:	濺鍍;銅鉻;薄膜
日期:	2011
上傳時間:	2011-09-15 09:08:33 (UTC+0)
出版者:	Asia University
摘要:	本研究報告為以磁控共濺鍍反應合成CuCrO2薄膜，使用氣氛爐以氬氣進行退火處理，以X光繞射(XRD)、場發式穿透電子顯微鏡(FE-TEM) 、UV-Visible與霍爾效應量測儀(Hall effect)分別進行晶體結構、微結構及光電性質的分析，研究顯示調整濺鍍靶材功率，可以有效控制薄膜的晶體結構，薄膜可以從CuO及CuCrO2多相結構中，減少CuO含量而製備出單相的CuCrO2薄膜，單相CuCrO2薄膜在600奈米的可見光下有60%的穿透率，薄膜光學能隙為3.05 eV，正值的霍爾係數顯示薄膜是電洞為主要載子的p型半導體，載子濃度為7.49x1016 cm-3，載子移動率為0.279 cm2 /V-s，電阻率為298.3 Ω-cm。
顯示於類別:	[光電與通訊學系] 博碩士論文

文件中的檔案:

檔案	大小	格式	瀏覽次數
	0Kb	Unknown	529	檢視/開啟

在ASIAIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.