磁控共濺鍍製備p型CuCrO2薄膜之結構與光電性質研究

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Title:	磁控共濺鍍製備p型CuCrO2薄膜之結構與光電性質研究
Authors:	翁維甫
Contributors:	Department of Photonics and Communication Engineering
Keywords:	濺鍍;銅鉻;薄膜
Date:	2011
Issue Date:	2011-09-15 09:08:33 (UTC+0)
Publisher:	Asia University
Abstract:	本研究報告為以磁控共濺鍍反應合成CuCrO2薄膜，使用氣氛爐以氬氣進行退火處理，以X光繞射(XRD)、場發式穿透電子顯微鏡(FE-TEM) 、UV-Visible與霍爾效應量測儀(Hall effect)分別進行晶體結構、微結構及光電性質的分析，研究顯示調整濺鍍靶材功率，可以有效控制薄膜的晶體結構，薄膜可以從CuO及CuCrO2多相結構中，減少CuO含量而製備出單相的CuCrO2薄膜，單相CuCrO2薄膜在600奈米的可見光下有60%的穿透率，薄膜光學能隙為3.05 eV，正值的霍爾係數顯示薄膜是電洞為主要載子的p型半導體，載子濃度為7.49x1016 cm-3，載子移動率為0.279 cm2 /V-s，電阻率為298.3 Ω-cm。
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