ASIA unversity:Item 310904400/111814
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 94286/110023 (86%)
造訪人次 : 21716322      線上人數 : 458
RC Version 6.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://asiair.asia.edu.tw/ir/handle/310904400/111814


    題名: 藉由POCL3的預置做深度的結合提升太陽能電池效率
    Enhance Solar Cell Efficiency with a Combination of Pre-Production Depths of POCL3
    作者: 謝正力
    HSIEH, CHENG-LI
    貢獻者: 光電與通訊學系碩士在職專班
    關鍵詞: POCL3;預置;效率;金字塔
    POCL3;Presets;Efficiency;Pyramid
    日期: 2018
    上傳時間: 2019-05-17 03:52:15 (UTC+0)
    出版者: 亞洲大學
    摘要: 本研究旨在探討POCL3的預置,再尚未做制程時先行進行預置與矽基片做擴散深度的結合,達到效率的提升,利用溫度在升溫的過程中,先行置入POCL3做擴散深度結合入矽晶格內,使得N型的參雜物(dopant)更為深入,形成P—N接合。
    研究結論如下:
    透過實驗,可以得到先行做預置的動作確實可以提高矽晶片的效率。
    實驗各種金字塔大小的矽晶片,佐証金字塔大小影響效率因素不大。
    This study aims to explore the preset of POCL3. When the process is not yet done, the preset depth and the diffusion depth of the 矽 substrate are combined to achieve the efficiency improvement. In the process of temperature rise, POCL3 is first inserted for diffusion depth combination. Into the lattice, the N-type dopant is deeper and forms a P-N junction.
    The research conclusions are as follows:
    First, through the experiment, you can get the preset action to improve the efficiency of the silicon wafer.
    Second, experiment with various pyramid-sized enamel wafers, which proves that the size of the pyramid affects the efficiency factor.
    顯示於類別:[光電與通訊學系] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML357檢視/開啟


    在ASIAIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.


    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 回饋