UMOS功率元件電源損耗之研究

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題名:	UMOS功率元件電源損耗之研究
作者:	吳景淵
貢獻者:	資訊工程學系
關鍵詞:	U型溝槽功率元件;功率損耗;閘極電荷;降低表面電場原理;切換損耗
日期:	2017
上傳時間:	2017-09-18 03:11:21 (UTC+0)
出版者:	亞洲大學
摘要:	本論文的研究重點為U型槽金氧半電晶體(U shaped trench MOS)，此功率元件已被廣泛使用於汽車電子、驅動整流、電源供應等…各領域之上，其中本論文所探討之功率元件有最低導通電組(Lowest Ron)即為在使用下，所消耗的能量為最低，並能夠用於200V範圍內，且元件尺寸上為垂直Ｕ型槽，故能大幅減少面積，提高密集度。本論文透過TCAD模套件，Tsuprem4建構元件製程與Sdevice、Medici軟體分析特性，其中UMOS之技術價值為FOM(figure of merit)=
顯示於類別:	[資訊工程學系] 博碩士論文

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