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    Title: 銅鋅錫硫硒 CZT(S,Se)製備與應用於軟性太陽能電池
    Authors: 魏肇輝
    Contributors: 光電與通訊學系
    Keywords: 脈衝直流磁控濺鍍;銅鋅錫硫硒;硫化錫;硫化鋅
    Date: 2017
    Issue Date: 2017-09-14 05:33:07 (UTC+0)
    Publisher: 亞洲大學
    Abstract: 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 本實驗利用脈衝直流 磁控 濺鍍系統 濺鍍系統 濺鍍系統 濺鍍系統 成功 濺鍍 銅鋅錫硫硒 銅鋅錫硫硒 銅鋅錫硫硒 銅鋅錫硫硒 銅鋅錫硫硒 CZT(S,Se) CZT(S,Se) CZT(S,Se) 軟性太陽能電池 軟性太陽能電池 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 ，基板的選用為不鏽鋼材質。由於硒與硫 的流失需 的流失需 的流失需 的流失需 透過硫化錫 透過硫化錫 透過硫化錫 透過硫化錫 透過硫化錫 (SnS) (SnS) (SnS) 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 疊層的方式加以修補並 探討退 探討退 探討退 火溫度對 火溫度對 火溫度對 火溫度對 薄膜的影響。 薄膜的影響。 薄膜的影響。 由α-stepstepstep 表面輪廓儀測量鍍膜速率，藉由 表面輪廓儀測量鍍膜速率，藉由 表面輪廓儀測量鍍膜速率，藉由 表面輪廓儀測量鍍膜速率，藉由 表面輪廓儀測量鍍膜速率，藉由 表面輪廓儀測量鍍膜速率，藉由 X光繞射分析 儀 (XRD) (XRD) (XRD) 分析銅鋅錫硫硒薄膜的結晶相 分析銅鋅錫硫硒薄膜的結晶相 分析銅鋅錫硫硒薄膜的結晶相 分析銅鋅錫硫硒薄膜的結晶相 分析銅鋅錫硫硒薄膜的結晶相 ；由紫外線 由紫外線 /可見光分譜 可見光分譜 可見光分譜 儀 (UV (UV-VisVisVis) 計 算出光學能隙 ； 以場 效 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 發射式掃描電子顯微鏡 (FE -SEM) SEM) 觀察其表面形貌 觀察其表面形貌 觀察其表面形貌 觀察其表面形貌 觀察其表面形貌 觀察其表面形貌 觀察其表面形貌 ；EDS EDS EDS 成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的成分析來獲得原子百比 的例； 再利用拉曼 再利用拉曼 再利用拉曼 再利用拉曼 再利用拉曼 (R aman aman ) 光譜儀 量測觀察結晶 觀察結晶 觀察結晶 觀察結晶 正確 性；最後透過 AFM AFM 原子力顯微鏡來比較 原子力顯微鏡來比較 濺鍍在 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 玻璃基板與不銹鋼軟性的 薄 膜差異 性。由XRDXRD 分析結果可以 分析結果可以 得出， 退火 溫度 越高結晶 高結晶 強度 越強。 另利用濺鍍 硫化錫 硫化錫 (SnS) (SnS) 靶材進行 CZT(SZT(SZT(S ,Se ) 中不同位置 的修補並 以厚度 30 nm30 nm30 nm30 nm30 nm 時疊在 最上層表現出 最上層表現出 最上層表現出 最上層表現出 最上層表現出 最上層表現出 較好的 薄膜物性分析 薄膜物性分析 薄膜物性分析 薄膜物性分析 薄膜物性分析 薄膜物性分析 ，進而在 ，進而在 ，進而在 ，進而在 SnS 上面 沉積一層 ZnSZnSZnS 薄膜 以及在 ZnS疊在 SnSSnSSnS與CZT(S CZT(SCZT(S ,Se )中間進 而改變退火時間 而改變退火時間 10 、20 、30 分鐘 ，再進行更深入的探討 進行更深入的探討 進行更深入的探討 。
    Appears in Collections:[光電與通訊學系] 博碩士論文

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